מה פורסם
לפי South China Morning Post, ב-17 בפברואר 2026:
- הצוות: בהובלת ואנג ג'ינלאן מאוניברסיטת דרום-מזרח (Southeast University) בנאנג'ינג, יחד עם ואנג שינראן ולי טאוטאו מאוניברסיטת נאנג'ינג.
- התוצאה: פרוסה חד-גבישית של מוליבדן דיסולפיד (MoS₂) בקוטר 6 אינץ' (150 מ"מ), שגודלה על מצע ספיר.
- השיטה: oxy-MOCVD. החוקרים מצאו ששלב מסוים בתהליך הגיבוש דורש אנרגיה רבה ומאט את הגידול. הוספת חמצן לתגובה עוקפת את השלב הזה.
- הביצועים: קצב גידול מהיר פי יותר מ-100 מ-MOCVD רגיל, בלי זיהום פחמן. טרנזיסטורים שנבנו על הפרוסה הראו ניידות אלקטרונים גבוהה פי יותר מ-10.
- הפרסום: המחקר פורסם בכתב העת Science ב-29 בינואר 2026.
למה זה חשוב
ככל שהטרנזיסטורים מתכווצים, הסיליקון מתקרב לגבולות הפיזיקליים שלו. חומרים דו-ממדיים כמו MoS₂, בעובי של שכבות אטומים בודדות, נחשבים מועמדים להחליף אותו, בזכות ניידות מטענים גבוהה וצריכת חשמל נמוכה. המכשול העיקרי עד היום היה לייצר אותם אחידים, באיכות גבוהה ועל שטח גדול. לפי החוקרים, השיטה מגשרת בין האיכות של ייצור במעבדה לבין יכולת ההרחבה של ייצור תעשייתי.
ההקשר
לפי SCMP, צוותים סיניים פעילים בתחום כבר כמה שנים. ב-2023 הדגים צוות מאוניברסיטת בייג'ינג ייצור סדרתי של פרוסות MoS₂ בקטרים של 2 עד 12 אינץ'. שבוע אחרי המחקר של נאנג'ינג פרסם צוות מבייג'ינג ב-Science שיטה לצפייה בזמן אמת בגידול הגבישים במיקרוסקופ אלקטרונים.
מה זה אומר למשקיעים
פריצת דרך במעבדה רחוקה בדרך כלל שנים מייצור מסחרי. השאלה החשובה היא אם השיטה תעבוד גם בקטרים הגדולים יותר שבהם עובדים מפעלי השבבים, ואם אפשר לשלב אותה בתהליכי הייצור הקיימים.
המידע בכתבה מבוסס על South China Morning Post (17.2.2026) ונועד ללמידה בלבד. הוא אינו ייעוץ השקעות.























